合成电子学实验室
以化成器 | Towards electronics, in a chemistry way
合成电子学(Synthetic Electronics, SynE)旨在设计合成纳米乃至量子尺度半导体的杂化及异质结构,探索晶体管的尺寸极限,为后摩尔时代的微纳器件构筑提供一种可能的化学思路。由此践行系统材料学理念,追求材料器件化目标。

纪清清
助理教授 / 研究员 / 博导
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设计制备纳米乃至原子尺度的半导体杂化/异质结构,探索电子器件的微缩极限,以化学和材料工程途径实现下一代低维电子学。
课题组新闻 更多 >
- 2026-10-05 research MoS2 中的卤化物活化 V 掺杂
- 2026-09-29 research 用于析氢反应的裂纹 Janus WSeS
- 2026-09-09 research 手性 MoS2 纳米卷中的输运
- 2026-06-18 research 释放MOFs中的双折射
- 2026-02-09 activities 欢度马年!
- 2025-12-15 research 6英寸石墨烯及器件
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*通讯作者;#共同一作;加粗姓名:SynE组员
- 41Bias-Dependent Noise Spectroscopy Reveals Contact-Noise Suppression and Hot-Carrier Dynamics in Conductive MOF Single Crystals
Submitted - 40Sub-Attojoule Switching at Ultralow Voltage in Two-Dimensional Bismuth Oxyiodide Memristor with Reconfigurable Volatility and Non-Volatility
Submitted - 39An Encoded Asymmetric Ligand for Metal-Selective Topological Assembly of Two-Dimensional Metal–Organic Frameworks
In revision - 38Edge-Vacancy Synergy in Cracked Janus WSeS Monolayers for Efficient Hydrogen Evolution
Angew. Chem. Int. Ed. 2026, DOI: 10.1002/anie.2242006 - 37Boltzmann Sigmoidal Modulation of Vanadium Doping in Monolayer MoS2 by Potassium Iodide
Nano Lett. 2026, 26, 13836-13842.
