祝贺 Yuanyuan 和 Fei 作为共同第一作者的论文 “Chirality-Dependent Electrical Characteristics of MoS2 Nanoscroll Transistors” 被 JACS 接收!

将二维半导体卷曲成纳米卷会引入晶格手性,但其对电荷输运的影响一直难以单独隔离。本工作结合偏振分辨二次谐波生成(SHG)与单个 MoS₂ 纳米卷的晶体管测量,建立了直接的手性–输运对应关系。我们开发了手性敏感的相干叠加模型,从 24 个纳米卷(19 个与传统分析在 3° 以内)中提取手性参数;背栅器件显示,更大的扭转角会降低开态电流和场效应迁移率(Spearman −0.99/−0.83;控制应变后偏相关 −0.78),而关态电流则通过静电屏蔽随卷数缩放。这种单纳米卷方法为手性纳米电子器件的结构设计提供了可能。

手性 MoS2 纳米卷中的输运

Source: x-mol.com