祝贺 Yuanyuan、Bin 和 Fei 作为共同第一作者的论文 “Boltzmann Sigmoidal Modulation of Vanadium Doping in Monolayer MoS2 by Potassium Iodide” 在 Nano Letters 发表！
取代掺杂是半导体电子学的基石，但二维（2D）半导体只有一个原子的厚度，无法采用离子注入，生长过程中的原位掺杂成为实际可行的路线——而其调控机制一直不明确。本工作以 V 掺杂单层 MoS₂ 为模型体系，建立了经 STEM 校准的拉曼探针（位于 100–250 cm⁻¹ 的缺陷激活双共振模式）来定量真实掺杂浓度，并发现掺杂密度远低于前驱体馈送比即达到饱和（名义馈送比高达 80%，平台却仅约 9%）。饱和水平受碘化钾（KI）助剂调控，遵循 Boltzmann S 形规律从约 4% 调至约 12%；第一性原理计算用边缘钝化取代模型解释了这一现象：碘端基对 V 嵌入势垒的降低强于对 Mo 的，从而激活了杂原子取代。这种碘化物活化掺杂范式推进了低维体系的掺杂理论，并为二维半导体中可控的杂原子取代（面向电子学、自旋电子学与催化应用）提供了一条可推广的路线。
